電子封裝用AlN燒結工藝及機理-《南昌大學》2011年碩士論文
氮化鋁陶瓷(ci)常壓燒(shao)結(jie)致密(mi)化抗(kang)水性(xing)自擴散(san)系數小,通常需要熱壓燒(shao)結(jie)才能(neng)制備出高致密(mi)的氮化鋁陶瓷(ci)2.2實(shi)驗儀器設備和原料31-322.3實(shi)驗方法32-332.3。
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氮化(hua)鋁(lv)陶瓷導(dao)熱性能(neng)良好,是集成電路基板和電子封裝的(de)理想材料。但氮化(hua)鋁(lv)為強(qiang)共價鍵結(jie)合物,熔(rong)點高,自擴散系數小(xiao),通(tong)常需要熱壓燒結(jie)才(cai)能(neng)制備出高致密的(de)氮化(hua)鋁(lv)陶瓷。并且。
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氮(dan)化鋁(lv)(AlN)燒(shao)結爐溫(wen)度(du)均(jun)勻(yun)性批量生產《電子工業(ye)專用設備》2010年06期加入(ru)收藏(zang)投稿氮(dan)化鋁(lv)尤(you)其是在氮(dan)化鋁(lv)陶(tao)瓷(ci)批量生產過程中,陶(tao)瓷(ci)燒(shao)結爐的溫(wen)度(du)不(bu)均(jun)勻(yun)。
電子封裝用AlN燒結工藝及機理
但近幾年國際上很(hen)多國家在重視AlN基片材料研發(fa)工作(zuo)的同時,對氮化鋁陶瓷燒結(jie)爐的制(zhi)備(bei)也越來越重視,由此孕育出(chu)一些專業(ye)的氮化鋁陶瓷燒結(jie)設(she)備(bei)制(zhi)造商(shang),尤其是美(mei)國和日(ri)本(ben)。
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本文通過使用Y2O3、Li2CO3、Dy2O3、CaF2、CaO作(zuo)為添(tian)加劑(ji),研究不(bu)同添(tian)加劑(ji)對(dui)注射成型低溫燒結(jie)AlN提高(gao)致密度和熱導率(lv)的作(zuo)用。實(shi)驗結(jie)果表明,使用Li2CO3,CaF2和Y2O3。
氮化鋁無壓燒結-陳衍春-豆丁網
采用(yong)微波高溫燒(shao)(shao)結工(gong)(gong)藝,制備(bei)了致(zhi)密的AlN陶(tao)(tao)瓷,并初步探討了微波燒(shao)(shao)成(cheng)環(huan)境對燒(shao)(shao)結體燒(shao)(shao)結陶(tao)(tao)瓷加工(gong)(gong)陶(tao)(tao)瓷相陶(tao)(tao)瓷量塊陶(tao)(tao)瓷英語陶(tao)(tao)瓷機械陶(tao)(tao)瓷件陶(tao)(tao)瓷帽(mao)陶(tao)(tao)瓷設備(bei)。
注射成型氮化鋁陶瓷低溫燒結的研究-維普網-倉儲式在線作品
氮(dan)化鋁(lv)燒結級AlN-010-A1S產品(pin)AlN-010-A1S氮(dan)化鋁(lv)粉(fen)體經過(guo)成(cheng)型燒結程序(xu)制(zhi)成(cheng):用(yong)於射(she)頻IC、高功率IC、LED晶(jing)片載板(ban)(ban),高導熱(re)電(dian)子(zi)基板(ban)(ban),LED路燈熱(re)電(dian)燈板(ban)(ban),高導熱(re)共燒陶瓷。
AlN陶瓷-學術百科-知網空間
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碳(tan)素(C/C)材料設備真空(kong)(kong)石(shi)墨化(hua)爐真空(kong)(kong)石(shi)墨煅燒爐真空(kong)(kong)脫膠燒結(jie)一體爐連續石(shi)墨化(hua)爐氣相沉積爐大型固化(hua)烘箱以上是(shi)氮化(hua)鋁真空(kong)(kong)脫膠燒結(jie)爐(圖)的詳細介紹,如果。
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氮化鋁脫膠燒結爐供應分類導航行業設(she)(she)備相關類別塑料機(ji)械(xie)塑機(ji)輔機(ji)橡膠機(ji)械(xie)包裝設(she)(she)備印刷(shua)設(she)(she)備混凝土機(ji)械(xie)挖掘機(ji)械(xie)園(yuan)林、市(shi)政工(gong)..選礦(kuang)設(she)(she)備。
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微波燒(shao)結(jie)設備(bei)主要(yao)應用于(yu)燒(shao)結(jie)各種高品(pin)質的(de)陶瓷(ci)、氮(dan)化(hua)(hua)硅、碳化(hua)(hua)硅、氧化(hua)(hua)鋁(lv)、氮(dan)化(hua)(hua)鋁(lv)、氧化(hua)(hua)鋯等;燒(shao)結(jie)電(dian)子陶瓷(ci)器件:PZT壓(ya)電(dian)陶瓷(ci)、壓(ya)敏(min)電(dian)阻等。所謂(wei)微波燒(shao)結(jie)或(huo)微波燃(ran)燒(shao)合(he)成。
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產(chan)品規格(ge):氮化鋁燒(shao)結爐(lu)產(chan)品數量:0.00包裝說明(ming):價格(ge)說明(ming):面議(yi)美國ANT公司提供(gong)的設備具有全自動、閉環控制(zhi)的特點(dian),保證產(chan)品的成品率和一(yi)致(zhi)性。
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供應(ying):燒結氮化鋁(工藝技術資(zi)料(liao)配方圖紙參數)光盤當前價格:200.00元1-BG52096含碳的氮化鋁燒結體以及用(yong)于半導體制造檢測設備的陶瓷基材2-BG。
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一(yi)種氮(dan)化鋁陶瓷的低溫燒結(jie),包括氮(dan)化鋁起始粉料選擇(ze),添加物的選擇(ze)以及燒結(jie)工(gong)藝參數的選擇(ze)。其特征(zheng)在于:(1)以碳熱還(huan)原法及高溫自蔓延合成(cheng)法制備(bei)的AlN粉體為(wei)起始。
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微波燒(shao)結設備紙箱刀具(ju)綠(lv)碳化(hua)硅砂倒角(jiao)刀具(ju)優質刀具(ju)泰(tai)珂洛(luo)刀具(ju)導(dao)(dao)熱/導(dao)(dao)熱粉(fen)/氮化(hua)鋁(lv)(lv)/氮化(hua)鋁(lv)(lv)粉(fen)導(dao)(dao)熱/導(dao)(dao)熱粉(fen)/氮化(hua)鋁(lv)(lv)/氮化(hua)鋁(lv)(lv)粉(fen)填(tian)充/填(tian)充劑/。
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本(ben)(ben)發明(ming)目(mu)的(de)(de)是(shi)提供一種(zhong)能(neng)保持10#+〔8〕Ω.cm或更(geng)大的(de)(de)體積電阻(zu)率的(de)(de)氮化鋁(lv)燒(shao)結體,能(neng)保證覆(fu)蓋(gai)能(neng)力,大的(de)(de)輻射(she)熱量和用溫度顯示(shi)器測定時的(de)(de)準確度。本(ben)(ben)發明(ming)的(de)(de)含(han)碳氮化。
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一種(zhong)氮化鋁(lv)燒結體,其特(te)征在于包(bao)含(han)1-10%(重量)從周期表Ⅲa族元素(su)、Ca、Sr、Ba中選擇的(de)少。
氮化鋁陶瓷的低溫燒結
華(hua)順(shun)系列(lie)陶瓷(ci)覆銅板(ban)(氮(dan)化鋁、氧化鋁、氮(dan)化硅)燒結爐廣泛(fan)應(ying)用於陶瓷(ci)覆銅板(ban)(DBC0在保護氣氛(fen)中的鍵合(he)、熱處(chu)理等工序(xu)。設(she)備(bei)針對陶瓷(ci)復合(he)的特殊工藝特點設(she)計了專(zhuan)有的。
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氮化鋁燒結體及其制造方法-96190015-錢眼
[圖文(wen)]3.2.5高(gao)(gao)壓設(she)備的(de)高(gao)(gao)精度控(kong)制系(xi)統3.2.6腔體(ti)介質材料的(de)選擇3.2.7加熱(re)源石(shi)墨(mo)3.3高(gao)(gao)壓燒結(jie)(jie)腔體(ti)設(she)計3.4高(gao)(gao)壓燒結(jie)(jie)AlN陶瓷制備工藝流(liu)程(cheng)3.4.1高(gao)(gao)壓燒結(jie)(jie)AlN。
氮化鋁陶瓷覆銅板設備及工藝提供工業電爐-中國供應商
論(lun)文天下提供(gong)的<AlN粉末的制備(bei)、低溫燒(shao)結(jie)及其(qi)(qi)注射(she)(she)成形技術的研究;論(lun)文包(bao)括氮(dan)化鋁陶瓷材料注射(she)(she)成形低溫燒(shao)結(jie)復合陶瓷制備(bei)低溫燒(shao)結(jie)注射(she)(she)等其(qi)(qi)他相(xiang)關內容論(lun)文。
氮化鋁陶瓷-博庫網
本發(fa)明提(ti)供一種高(gao)純度(du)氮(dan)化(hua)(hua)鋁(lv)燒結(jie)(jie)體,其在氮(dan)化(hua)(hua)鋁(lv)燒結(jie)(jie)體制造時,有效地除(chu)去原(yuan)料(liao)粉末中(zhong)所(suo)含的(de)氧化(hua)(hua)物(wu),且通過(guo)原(yuan)料(liao)粉末中(zhong)所(suo)含的(de)氧化(hua)(hua)物(wu)與燒結(jie)(jie)助劑(ji)反應來(lai)防止生成的(de)復合氧化(hua)(hua)。
氮化鋁陶瓷燒結質量管理(2書+2光盤)-圖書價格:290-理科工程技術
3.2.5高(gao)壓(ya)設(she)備的(de)高(gao)精(jing)度控(kong)制系統3.2.6腔體介質材料的(de)選擇3.2.7加熱(re)源石墨3.3高(gao)壓(ya)燒(shao)結(jie)腔體設(she)計3.4高(gao)壓(ya)燒(shao)結(jie)AlN陶瓷制備工(gong)藝流程3.4.1高(gao)壓(ya)燒(shao)結(jie)AlN。
氮化鋁陶瓷:亞馬遜:圖書
熱(re)壓(ya)(ya)燒(shao)(shao)(shao)結AlN陶瓷(ci),以自蔓延高溫合成(SHS)的AlN粉體(ti)為(wei)原料,以Y2O3-B2O3-CaF2和YF3-B-CaF2系(xi)為(wei)燒(shao)(shao)(shao)結助劑,采用熱(re)壓(ya)(ya)燒(shao)(shao)(shao)結工藝制(zhi)備AlN陶瓷(ci)。結果表明(ming),采用燒(shao)(shao)(shao)結助劑,在。
AlN粉末的制備低溫燒結及其注射成形技術的研究-收費碩士博士
本論文探索(suo)了(le)AlN陶瓷(ci)的燒結(jie)技(ji)術(shu),利(li)用本實驗室原位合成技(ji)術(shu)合成的AlN粉末制備出了(le)高(gao)致密,高(gao)導熱的AlN陶瓷(ci)。研(yan)究了(le)AlN陶瓷(ci)的常壓燒結(jie)技(ji)術(shu)。通(tong)過熱力學條(tiao)件和相圖的。
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熱壓燒結AlN陶瓷-熱壓燒結AlN熱導率顯微結構
研磨設(she)(she)備;壓制和(he)燒結(jie)設(she)(she)備;磨刷輪;鉆頭環;電(dian)子元(yuan)器(qi)件;粉體材料(liao);氮(dan)化鋁基板;拋光夾具;主(zhu)營行業:研磨設(she)(she)備;壓制和(he)燒結(jie)所在地:上(shang)海(hai)上(shang)海(hai)市長寧(ning)區天山供應(ying)產(chan)品(pin):。
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41、含碳的氮(dan)化鋁燒結體以及(ji)用于(yu)半導(dao)體制造檢測設(she)備的陶瓷基(ji)材收錄氮(dan)化鋁陶瓷相關(guan)期刊文獻(xian)151項1、海門建成氮(dan)化硅陶瓷基(ji)地(di)2、高壓氮(dan)氣(qi)中自(zi)蔓延燃燒合成氮(dan)化鋁。
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抗折強度(du)高(gao)(gao),可(ke)以常壓在1600°C燒結,是一種高(gao)(gao)功率集成電路基片的(de)未來使用(yong)材料晉盈科技發展有限(xian)公(gong)司樂意(yi)提供氮化鋁(lv)AlN整(zheng)線設備,研發生(sheng)產(chan)光傳輸特性優良的(de)基片。
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32CN00809591.4半導體加(jia)工設備(bei)的防(fang)腐組件及其制造方(fang)法(fa)33CN02106821.6用于半導體和功率(lv)模(mo)件的絕緣襯(chen)底板34CN02115663.8放電(dian)等離(li)子燒結法(fa)制備(bei)氮化鋁透明陶(tao)瓷35。