SiC晶片的加工工程_百度知道
SiC單晶材料(liao)的(de)(de)硬(ying)度(du)及脆性大,且(qie)化學穩定(ding)(ding)性好,故如何獲得高平面(mian)精度(du)的(de)(de)無損傷晶片表面(mian)已成為其(qi)廣泛應用所必須解決的(de)(de)重要問題。本論(lun)文采用定(ding)(ding)向切割晶片的(de)(de)方法,分(fen)別研究(jiu)了。
SiC晶片加工工藝及其對晶片表面的損傷-中國論文下載_上學吧
摘要:SiC單晶(jing)的材(cai)質既硬(ying)且脆,加工(gong)(gong)難度(du)很大。本文介(jie)紹了加工(gong)(gong)SiC單晶(jing)的主要方法(fa),闡述了其加工(gong)(gong)原理(li)、主要工(gong)(gong)藝參數對(dui)加工(gong)(gong)精度(du)及效率的影(ying)響,提出了加工(gong)(gong)SiC單晶(jing)片今后。
SiC單晶片加工技術的發展_百度文庫
SiC機(ji)械密封(feng)環表面微織構激(ji)(ji)光加工(gong)工(gong)藝符永宏祖權紀敬虎楊東(dong)燕(yan)符昊摘要:采用聲光調Q二極管泵浦Nd:YAG激(ji)(ji)光器,利用"單脈沖(chong)同點間隔多(duo)次"激(ji)(ji)光加工(gong)工(gong)藝,。
俺的SIC-R-WildChalice狂野卡里斯
由于(yu)SiC硬度非(fei)常(chang)高,對單晶(jing)(jing)后續的加工造成很多困難,包括切割和磨(mo)拋.研究發(fa)現利用(yong)圖中(zhong)顏色較深的是摻氮條紋,晶(jing)(jing)體生(sheng)長45h.從(cong)上述移動坩堝萬方(fang)數據812半導體。
SiC單晶片加工技術的發展-《新技術新工藝》2009年06期
摘要:SiC陶瓷以其優異的(de)性能得到(dao)廣泛的(de)應用,但是其難以加工(gong)的(de)缺點(dian)限制了應用范圍。本文對磨削方(fang)法加工(gong)SiC陶瓷的(de)工(gong)藝參數進(jin)行了探討,其工(gong)藝參數為組(zu)合:粒度w40#。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-《排灌機械工程學報》2012
2013年10月24日-LED半(ban)導體照明網訊日本上市(shi)公司薩姆肯(Samco)發布了新型晶片盒(he)生產(chan)蝕刻(ke)系(xi)統(tong),處(chu)理SiC加工(gong),型號為(wei)RIE-600iPC。系(xi)統(tong)主要(yao)應(ying)用在(zai)碳化(hua)硅功率儀(yi)器平面加工(gong)。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-豆丁網
2013年10月24日-日本(ben)上市公(gong)司薩姆肯(Samco)發布了新(xin)型(xing)晶片盒生產(chan)蝕刻系(xi)統(tong),處理SiC加(jia)(jia)工(gong),型(xing)號為(wei)RIE-600iPC。系(xi)統(tong)主要應用在碳化(hua)硅功率儀器平面(mian)加(jia)(jia)工(gong)、SiCMOS結構槽刻。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-CrystalGrowthandRaw
金(jin)剛(gang)石線鋸SiC表面裂紋加工(gong)質量摘要:SiC是(shi)第三(san)代(dai)半導(dao)體(ti)材(cai)料的(de)核心(xin)之一(yi),廣泛用于制(zhi)作(zuo)電(dian)子(zi)器(qi)(qi)件,其加工(gong)質量和精(jing)度直接影響到器(qi)(qi)件的(de)性能(neng)。SiC晶體(ti)硬度高,。
SiC從外表顏色如何區分其SiC含量的高低-已解決-搜搜問問
采用(yong)聲光調(diao)Q二極管泵(beng)浦Nd:YAG激光器,利(li)用(yong)“單脈沖同點(dian)間隔多次”激光加(jia)工工藝,對(dui)碳(tan)化硅機械密(mi)封(feng)試(shi)樣端面(mian)進行激光表(biao)面(mian)微織構的加(jia)工工藝試(shi)驗研究.采用(yong)Wyko-NTll00表(biao)面(mian)。
SiC陶瓷的磨削加工工藝研究—《教育科學博覽》—2011年第12期—
共找到2754條(tiao)符合-SiC的查詢(xun)結果。您(nin)可以在阿里巴(ba)巴(ba)公司黃頁搜索到關于(yu)-SiC生產商的工商注冊年(nian)份(fen)、員工人(ren)數、年(nian)營業額、信用記(ji)錄、相關-SiC產品的供求信息、交易記(ji)錄。
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統
中國供應商(shang)免費提供各類(lei)sic碳化(hua)硅(gui)批發,sic碳化(hua)硅(gui)價(jia)格,sic碳化(hua)硅(gui)廠家信息,您(nin)也可以在這(zhe)里免費展(zhan)示銷(xiao)售sic碳化(hua)硅(gui),更(geng)有機會(hui)(hui)通過(guo)各類(lei)行業(ye)展(zhan)會(hui)(hui)展(zhan)示給(gei)需求方!sic碳化(hua)硅(gui)商(shang)機盡在。
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統-企業新聞-首頁
金(jin)剛石多線切割設備(bei)在SiC晶(jing)片(pian)加工中(zhong)的應用ApplicationofMuti-DiamondWireSawtoSliceSiCCrystal查看全文下載(zai)全文導(dao)出添加到引用通知分享(xiang)到。
金剛石線鋸切割SiC的加工質量研究-《山東大學》2010年碩士論文
[圖文]2011年3月17日-SiC陶瓷(ci)與(yu)鎳基高(gao)溫合(he)金的熱壓反應燒結(jie)連接段輝平李(li)樹杰張(zhang)永剛劉(liu)深張(zhang)艷黨紫九劉(liu)登科摘(zhai)要(yao):采用(yong)Ti-Ni-Al金屬復合(he)焊料粉末,利(li)用(yong)Gleeble。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-維普網-倉儲式在線作品
PCD刀(dao)具加(jia)工SiC顆粒增強鋁(lv)基復(fu)合(he)材(cai)料的公道(dao)切削速度(du)〔摘(zhai)要〕通過(guo)用掃描(miao)電鏡(jing)等方式檢(jian)測(ce)PCD刀(dao)具的性(xing)能,并與自(zi)然金剛石的相關參數進行比較,闡明了PCD刀(dao)具的優異(yi)性(xing)能。
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石墨(mo)SiC/Al復合材(cai)(cai)料(liao)壓力(li)浸滲力(li)學性(xing)能(neng)(neng)加工性(xing)能(neng)(neng)關鍵(jian)詞:石墨(mo)SiC/Al復合材(cai)(cai)料(liao)壓力(li)浸滲力(li)學性(xing)能(neng)(neng)加工性(xing)能(neng)(neng)分類(lei)號:TB331正文快照:0前言siC/。
sic碳化硅批發_sic碳化硅價格_sic碳化硅廠家其他磨具-中國供應商
[圖文]2012年(nian)11月29日-為了研究磨削(xue)(xue)(xue)工(gong)藝(yi)參數對SiC材料磨削(xue)(xue)(xue)質量(liang)的影響規律(lv),利(li)用DMG銑磨加工(gong)做了SiC陶瓷(ci)平(ping)面磨削(xue)(xue)(xue)工(gong)藝(yi)實(shi)驗,分析研究了包(bao)括主軸轉速、磨削(xue)(xue)(xue)深度(du)、進給速度(du)在內的。
金剛石多線切割設備在SiC晶片加工中的應用ApplicationofMuti-
研究方向:微納(na)設計與加(jia)(jia)工(gong)(gong)技術、SiCMEMS技術、微能源技術微納(na)設計與加(jia)(jia)工(gong)(gong)技術微納(na)米加(jia)(jia)工(gong)(gong)技術:利用(yong)深刻(ke)蝕加(jia)(jia)工(gong)(gong)技術,開(kai)發出適合于(yu)大規模加(jia)(jia)工(gong)(gong)的高(gao)精度微納(na)復(fu)合結。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-大眾科技-道客巴巴
[圖文]SiC晶體生長和(he)加工SiC是重(zhong)要的寬(kuan)禁帶半導體,具有高(gao)(gao)熱導率、高(gao)(gao)擊穿場強(qiang)等(deng)特性和(he)優勢,是制(zhi)作高(gao)(gao)溫、高(gao)(gao)頻、大功率、高(gao)(gao)壓以及抗(kang)輻射電子器(qi)件(jian)的理想材料,在軍工、航天(tian)。
SiC是什么材料SiC是一種什么材料啊,他的加工性能怎樣樣?可以鉆孔
介簡(jian)單地介紹了發光二極管的(de)發展歷(li)程,概(gai)述了LED用(yong)SiC襯底的(de)超(chao)精密研磨(mo)技術(shu)的(de)現狀(zhuang)及發展趨勢(shi),闡述了研磨(mo)技術(shu)的(de)原理、應用(yong)和優勢(shi)。同(tong)時結合實驗室X61930B2M-6型。
SiC陶瓷與鎳基高溫合金的熱壓反應燒結連接-加工工藝-機電之家網
2012年(nian)6月6日-磨(mo)(mo)料(liao)是用于磨(mo)(mo)削(xue)加工和(he)制(zhi)做磨(mo)(mo)具的一(yi)種基(ji)礎材(cai)料(liao),普通磨(mo)(mo)料(liao)種類主要有剛玉和(he)1891年(nian)美國卡不(bu)倫登公(gong)司的E.G艾(ai)奇(qi)遜用電阻爐人工合(he)成并發(fa)明(ming)SiC。1893年(nian)。
PCD刀具加工SiC顆粒增強鋁基復合材料的公道切削速度_中國百科網
攪拌(ban)摩擦加工SiC復合層對鎂合金(jin)摩擦磨損(sun)性(xing)能的影響(xiang)分(fen)享到:分(fen)享到QQ空(kong)間收藏推(tui)薦鎂合金(jin)是目前輕的金(jin)屬結(jie)構材(cai)料(liao),具有密度低、比強度和比剛度高(gao)、阻尼減(jian)震性(xing)。
易加工儀表級SiC/Al復合材料的性能研究-《第十五屆全國復合材料
綜述(shu)了(le)半(ban)導體材料SiC拋光(guang)技(ji)術(shu)的(de)發展,介紹了(le)SiC單晶片CMP技(ji)術(shu)的(de)研究現(xian)狀,分析(xi)了(le)CMP的(de)原理和工藝參(can)數對(dui)拋光(guang)的(de)影響,指出了(le)SiC單晶片CMP急待(dai)解決的(de)技(ji)術(shu)和理論問(wen)題,并對(dui)其。
SiC陶瓷非球面磨削工藝實驗研究-中國磨料磨具網|磨料磨具協會
2005年(nian)(nian)在國內(nei)率(lv)先完成1.3m深焦比輕質非(fei)球面反射鏡的研究工(gong)作,減重比達到65%,加工(gong)精度(du)優于17nmRMS;2007年(nian)(nian)研制成功1.1m傳輸型詳查(cha)相機SiC材料離軸非(fei)球面主(zhu)鏡,加工(gong)。
北京大學微電子學研究院
2013年(nian)2月21日(ri)-近日(ri),三菱電(dian)機(ji)宣布,開(kai)發出了能(neng)夠(gou)一次(ci)將一塊多晶碳化硅(SiC)錠切割(ge)(ge)成40片SiC晶片的多點放電(dian)線切割(ge)(ge)技術(shu)。據悉,該技術(shu)有望提高SiC晶片加工(gong)的生產效率,。
SiC晶體生長和加工
加工(gong)圓孔(kong)孔(kong)徑(jing)(jing)范圍:200微(wei)(wei)米—1500微(wei)(wei)米;孔(kong)徑(jing)(jing)精(jing)度:≤2%孔(kong)徑(jing)(jing);深寬(kuan)/孔(kong)徑(jing)(jing)比:≥20:1(3)飛秒激(ji)光數(shu)控機(ji)床(chuang)的微(wei)(wei)孔(kong)加工(gong)工(gong)藝:解決戰略型CMC-SiC耐高溫材料微(wei)(wei)孔(kong)(直徑(jing)(jing)1mm。
LED用SiC襯底的超精密研磨技術現狀與發展趨勢Situationand
衛(wei)輝市車船(chuan)機電有限公(gong)司(si)(si)csic衛(wei)輝市車船(chuan)機電有限公(gong)司(si)(si)是(shi)中國(guo)船(chuan)舶重工集團公(gong)司(si)(si)聯營(ying)是(shi)否(fou)提供(gong)加工/定制(zhi)服務:是(shi)公(gong)司(si)(si)成(cheng)立時間:1998年公(gong)司(si)(si)注冊(ce)地:河(he)南/。
關于磨料用途與深加工方面的分析和探討-磨料用途,棕剛玉,碳化硅-
[圖文(wen)]激(ji)(ji)光(guang)(guang)加工激(ji)(ji)光(guang)(guang)熔覆(fu)陶(tao)瓷涂層(ceng)耐腐(fu)蝕性(xing)極化曲線關(guan)鍵字:激(ji)(ji)光(guang)(guang)加工激(ji)(ji)光(guang)(guang)熔覆(fu)陶(tao)瓷涂層(ceng)耐腐(fu)蝕性(xing)極化曲線采用激(ji)(ji)光(guang)(guang)熔覆(fu)技術(shu),在45鋼表面對含量不同的(de)SiC(質量。
攪拌摩擦加工SiC復合層對鎂合金摩擦磨損性能的影響-《熱加工工藝
●自行研發了SiC晶(jing)片加工工藝:選(xuan)取適(shi)當(dang)種類、粒(li)度、級配的磨料和加工設備來切割、研磨、拋光、清洗和封(feng)裝的工藝,使(shi)產品達到(dao)了“即(ji)開即(ji)用”的水(shui)準。圖(tu)7:SiC晶(jing)片。
SiC單晶片CMP超精密加工技術現狀與趨勢Situationand
離軸(zhou)非球(qiu)面SiC反(fan)射鏡的(de)精密(mi)銑磨加工技術(shu),張(zhang)志宇(yu);李銳鋼;鄭立功;張(zhang)學(xue)軍(jun);-機械工程學(xue)報2013年第17期在(zai)線(xian)閱讀、文章下載。<正;0前言(yan)1環繞地球(qiu)軌(gui)道運行的(de)空間。
高精度非球面組件先進制造技術--中國科學院光學系統先進制造
2011年10月(yue)25日-加(jia)工(gong)電(dian)流非常小,Ie=1A,加(jia)工(gong)電(dian)壓為170V時(shi),SiC是加(jia)工(gong)的,當Ti=500μs時(shi),Vw=0.6mm3/min。另外(wai),Iwanek還得出(chu)了(le)“臨界(jie)電(dian)火花加(jia)工(gong)限制”。
三菱電機研制出多點放電線切割機-中國工業電器網
經營范圍:陶(tao)瓷(ci)軸(zhou)承;陶(tao)瓷(ci)噴嘴;sic密(mi)封件(jian);陶(tao)瓷(ci)球;sic軸(zhou)套;陶(tao)瓷(ci)生(sheng)產加(jia)工機(ji)械;軸(zhou)承;機(ji)械零部件(jian)加(jia)工;密(mi)封件(jian);陶(tao)瓷(ci)加(jia)工;噴嘴;噴頭;行業類(lei)別(bie):計算(suan)機(ji)產品。
“數控機床與基礎制造裝備”科技重大專項2013年度課題申報
因此(ci),本(ben)文(wen)對IAD-Si膜層的微觀(guan)結構、表面(mian)形貌及抗熱振蕩性能進行了研究,這不僅對IAD-Si表面(mian)加(jia)工(gong)具有指(zhi)導意(yi)義,也(ye)能進一(yi)步證明RB-SiC反射鏡表面(mian)IAD-Si改性技術的。