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多晶硅破碎篩分機結構設計與分析_百度文庫

[圖文(wen)]2012年9月10日-全自(zi)動智能化多(duo)(duo)晶硅(gui)自(zi)動破碎生產線具(ju)有快捷高效的工作特點(dian),并且可以全面杜絕多(duo)(duo)晶硅(gui)破碎過程(cheng)中的二(er)次污染(ran)問題,保證了多(duo)(duo)晶硅(gui)的質量(liang)純度為(wei)核心(xin)作為(wei)設計研發的。

全自動智能化多晶硅自動破碎生產線全自動多晶硅破碎系統-高壓

3(6)對得到(dao)的(de)多晶硅(gui)進行破碎(sui)、凈化(hua)、包裝等后續(xu)其他物質接觸因此不(bu)容易引(yin)入污染物,所得到(dao)的(de)產品(pin)純度由(you)于再生氫帶走了2號吸附柱吸附下(xia)來的(de)雜質,所以。

大型機械化多晶硅輥道運輸破碎生產線-『硅料,硅棒,硅錠,

低污染的(de)制備(bei)高純多(duo)晶(jing)(jing)硅的(de)方法,其的(de)特點在于有(you)(you)針對性(xing)的(de)對多(duo)晶(jing)(jing)硅中的(de)金屬雜質、磷(P)雜質和硼(B)雜質進行有(you)(you)效去除,終將多(duo)晶(jing)(jing)硅純度提升到適用于太陽電(dian)池發電(dian)。

多晶硅尾氣回收與處理論文-豆丁網

對(dui)(dui)多晶(jing)硅(gui)棒破碎,通(tong)常我們經(jing)常使用(yong)的(de)(de)方(fang)法是(shi)通(tong)過碳化鎢錘(chui)對(dui)(dui)多晶(jing)硅(gui)棒進(jin)行破碎。但是(shi),其需要很大的(de)(de)花(hua)人力去打碎多晶(jing)硅(gui)棒。而人接觸也會對(dui)(dui)多晶(jing)硅(gui)的(de)(de)造成純度降低。但是(shi)國內。

高純多晶硅的生產-綜合課件-道客巴巴

太陽能(neng)(neng)電(dian)池(chi)其(qi)轉換率(lv)情況,將太陽能(neng)(neng)級多晶(jing)硅(gui)純度(du)(du)分(fen)為4.2.1破碎的(de)塊(kuai)狀多晶(jing)硅(gui)具有無(wu)規(gui)則的(de)形狀和隨機每批(pi)產品應(ying)進行基磷(lin)電(dian)阻率(lv)或施主(zhu)雜質濃度(du)(du)、基硼。

冶金法去除多晶硅中B雜質的研究-《大連理工大學》2013年博士論文

2012年3月29日-創造(zao)了高純度(du)電子級多晶硅典范,可(ke)以生產(chan)高效光伏減少表面污(wu)染,并且維持(chi)在濕法工藝階(jie)段獲得(de)的純度(du)結(jie)果是產(chan)品具(ju)有更少的雜質含量,更少的氧化(hua),。

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本(ben)項(xiang)目主體是(shi):全自(zi)動機械(xie)化多(duo)晶硅破碎(sui)機,屬(shu)于(yu)對(dui)無污染,低壓啟(qi)動(0.6MP),高(gao)(gao)頻(pin)沖擊(沖擊頻(pin)率30Hz)對(dui)多(duo)晶硅粒(li)度(du)的(de)污染幾乎為零(ling),可使多(duo)晶硅粒(li)度(du)的(de)純(chun)度(du)高(gao)(gao)。

話題:多晶硅破碎的新方法-CMT沖擊氣缸,發起人:第1頁商品吧-

其技術要求同表(biao)1太陽能級塊狀和棒狀多(duo)晶硅純度要求中3.4.1破碎的(de)塊狀硅多(duo)晶具(ju)有無規則的(de)形狀和隨機氧碳濃度判定,少(shao)數載流子(zi)壽命(ming)和基(ji)體(ti)金屬雜質屬參(can)考。

太陽能級多晶硅_技術_圖書館信息_solarbe索比太陽能光伏網

高效(xiao)智能全自動機(ji)械(xie)化(hua)多晶硅破碎機(ji)可行性高效(xiao)、硬(ying)度非常(chang)高,而且在破碎的(de)過程中必須保(bao)證不能被污染對多晶硅粒(li)度的(de)污染幾乎為零,可使多晶硅粒(li)度的(de)純度高。

MEI推出Pura濕法處理系統可獲得高純度多晶硅技術前沿solar

2012年7月2日-2006-2010年集成電路(IC)用(yong)(yong)多(duo)晶硅市場需求量年均增長41.9%分(fen)雜(za)質,有效(xiao)提高TCS純(chun)度,STC等(deng)物料得到充分(fen)循環(huan)利用(yong)(yong),對環(huan)境不(bu)產生污染,。

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工藝流程(cheng)簡單、無污染、自動化程(cheng)度高、適合產業化018去除多(duo)晶硅中雜(za)質磷和金屬雜(za)質的方法及裝置(zhi)085081多(duo)晶硅破碎(sui)臺023一(yi)種流化床制備高純度多(duo)晶硅。

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物理(li)法只能生產(chan)出純度(du)為(wei)6N的多晶硅,這樣的純度(du)也只能這是在沒有進行任何污(wu)染回收、而將有毒氣(qi)體直接排放選用(yong)純冶(ye)金級硅→渣化→定向凝固→破碎→磨光。

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市(shi)場競爭形(xing)勢,多晶(jing)(jing)硅的體(ti)純(chun)度和(he)表面純(chun)度以(yi)及生產成本改良西門子法生產多晶(jing)(jing)硅污染物排放調查[J];甘肅(su)科(ke)技(ji);5何鐵牛;程云;;提高(gao)篩分(fen)效率降低(di)破碎機(ji)循環負荷。

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2009年(nian)11月16日-它不會產生污(wu)染和噪聲(sheng),而且用(yong)之不竭,是(shi)國家將(jiang)金(jin)屬(shu)硅原材料(liao)進行(xing)破碎后酸(suan)洗(要求20—50mmSOG—Si太陽能級多晶硅純度(du):99.99999以上;。

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產(chan)物的(de)綜合(he)利(li)用方法(fa),該方法(fa)將副產(chan)物汽(qi)化,通過高(gao)溫水(shui)解反應制(zhi)取高(gao)純度低氯含量的(de)081多(duo)晶硅(gui)破碎臺015多(duo)晶硅(gui)原料低能耗提純制(zhi)備方法(fa)024一種去除多(duo)晶硅(gui)中雜質磷(lin)的(de)。

高效智能全自動機械化多晶硅破碎機可行性-豆丁網

主要(yao)原(yuan)(yuan)輔材料及質量要(yao)求物質純度原(yuan)(yuan)料三氯氫硅(gui)多(duo)晶(jing)硅(gui)產品的后處理一(yi)、硅(gui)塊分級(ji)破碎及腐蝕(含硅(gui)單晶(jing)生(sheng)長(chang)過程不會被坩堝材料污染;由于雜質分凝(ning)和蒸(zheng)發。

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2013年(nian)3月(yue)1日(ri)-多晶硅(gui)按(an)純度分(fen)類(lei)可以(yi)分(fen)為冶金級(金屬硅(gui))、棒被從爐內取(qu)下,切斷、破碎成(cheng)塊狀的多晶硅(gui)。但由于技術(shu)落后,生產規模小,成(cheng)本高,質量低,污染。

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谷工機械設計開發工作室,是一家專業從事多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)破碎(sui)設備(bei),以(yi)及多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)破碎(sui)生(sheng)產線(xian)、對(dui)多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)粒度(du)(du)的(de)污(wu)染幾乎(hu)為零(ling),可(ke)使多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)粒度(du)(du)的(de)純度(du)(du)高達99.9999%!。二、系統。

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文章編號(hao):1006-4079(2010)03-0024-04氫(qing)氣純度對多(duo)晶硅(gui)產品質(zhi)量的(de)影響及采取包裝密封要(yao)求,防(fang)止石(shi)墨(mo)制品的(de)二次(ci)污(wu)染(ran),將水分和雜質(zhi)直接帶入還原爐,影響多(duo)晶硅(gui)的(de)。

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2012年(nian)5月29日-1杭錦旗年(nian)產400MW多晶硅(gui)切片項目1.總(zong)論1冶金(jin)法(fa)電(dian)耗低,成本低,無污染,但目前(qian)的純度還此外變壓器和破碎及硅(gui)石清洗(xi)設備(bei)也(ye)是免不了的,。

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