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[圖文]碳化(hua)硅是(shi)當前國(guo)際上進(jin)的第三代新(xin)型半導(dao)體(ti)(ti)材(cai)料(liao),國(guo)內目(mu)前主要處于研發(fa)階段。與傳統硅器件相比,碳化(hua)硅電(dian)力芯片(pian)減(jian)少能耗75%,大幅降低各項設(she)備系統的整(zheng)體(ti)(ti)成(cheng)本并提高。

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JNSS節能型新型碳化(hua)硅(gui)陶瓷[新材(cai)料]被列入2009年寧波(bo)市工業(ye)新產品試產計劃(hua)項目,項目屬于寧波(bo)“5+5”產業(ye)的新材(cai)料,起止(zhi)年限20090310-20091231年,研發投(tou)入100萬(wan)元(yuan),預(yu)計。

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廿1)萬方數據第1期(qi)劉有(you)智等:新型多孔碳化硅陶(tao)瓷膜管的制備(bei)與性能表征332結果與討(tao)論2.1涂膜對膜管的性能影響(xiang)2.1.1涂膜對膜管孔徑分布(bu)的影響(xiang)圖。

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2003年11月20日(ri)-新型(xing)增強(qiang)材料--碳(tan)化硅纖維中(zhong)國玻璃鋼(gang)綜合信息網日(ri)期:2004-11-20閱讀:4792字(zi)體:大中(zhong)小雙擊鼠(shu)標滾屏通(tong)常碳(tan)化硅纖維的制造方(fang)法與硼纖維。

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2008年5月9日(ri)-碳化硅電(dian)(dian)(dian)力電(dian)(dian)(dian)子器件研發(fa)進展與存在問(wen)題,1引言借助于微電(dian)(dian)(dian)子技術的(de)長足發(fa)展,以硅器件為(wei)基礎的(de)電(dian)(dian)(dian)力電(dian)(dian)(dian)子技術因大功率場效(xiao)應晶體(ti)管(功率MOS)和(he)絕緣柵雙極晶體(ti)。

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用途:碳(tan)化硅(SiC)脫(tuo)氧(yang)劑是一種(zhong)新型的強復合脫(tuo)氧(yang)劑,取代(dai)了傳統的硅粉碳(tan)粉進(jin)行脫(tuo)氧(yang),和原(yuan)工藝相比各項理化性能更加穩定,使脫(tuo)氧(yang)時間縮短,節(jie)約能源,提高煉鋼效率,降低原(yuan)。

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(1)接連纖維(wei)增韌碳化硅瓷(ci)器(qi)基復(fu)合材料(CMC-SiC)擁有類似金屬的斷裂行(xing)為(wei),對裂紋(wen)不敏感,不會發生災害性敗(bai)壞。其耐高隨和低密度特性,使其成為(wei)發展進步航天(tian)發念頭。

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