金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷
金屬氧化物碳化硅(gui)避(bi)雷(lei)器電力電纜電壓響(xiang)應過沖保護性能殘(can)壓測試回路相近似電流脈沖。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網
2005脈沖激光退火納米碳化硅的光致發(fa)光于威(wei),何杰,孫運(yun)濤,韓(han)理(li),在電流(liu)激發(fa)方面存在較大困難,因此對(dui)碳化硅發(fa)光材(cai)料的制(zhi)備及(ji)發(fa)光特性進行分析對(dui)。
脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫
河北大學(xue)碩士學(xue)位論文納(na)米碳(tan)化硅(gui)的脈沖激光(guang)燒蝕沉積(ji)及(ji)其光(guang)學(xue)特性研究姓名:孫(sun)運濤(JFET,可達到(dao)電流(liu)水平400mA/mm,電導的指標(biao)lOOmS/mm)以及(ji)用(yong)6H—SiC制(zhi)作的金屬(shu)。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道
2008年5月9日(ri)-1998年已有頻率1.3GHz,脈沖輸出功率400W的報道[;。2.2碳(tan)化(hua)硅(gui)功率雙極與碳(tan)化(hua)硅(gui)功率MOS相比(bi),對3000V以上的阻斷電壓(ya),其通態(tai)電流密(mi)度可以高出幾個。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
[圖文]2007年5月28日-從而具(ju)有非常高的(de)浪涌電(dian)流承受能(neng)力和(he)穩定的(de)過壓(ya)中的(de)PFC級應用在(zai)瞬時脈沖和(he)過壓(ya)狀態下具(ju)有更高利用具(ju)有獨特性(xing)能(neng)的(de)碳化硅作為器件材料(liao),能(neng)制造出。
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高頻(pin)脈沖(chong)電鍍Ni-Co-SiC耐(nai)蝕性耐(nai)磨性陽極(ji)極(ji)化結構研(yan)究了(le)電源頻(pin)率、占(zhan)空比(bi)、陰極(ji)電流密(mi)度(du)及鍍液中鈷(gu)1袁逖;高頻(pin)脈沖(chong)電沉積鎳鈷(gu)碳化硅鍍層耐(nai)蝕性耐(nai)磨。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-《北京交通
正采(cai)用60m長的(de)138kV電(dian)(dian)力電(dian)(dian)纜(lan)產生的(de)幾十萬伏、2萬安以(yi)上(shang)的(de)電(dian)(dian)流、波頭時間約(yue)50ns的(de)脈沖。被試品(pin)為9kV金屬氧化物及(ji)碳化硅避雷器。避雷器的(de)電(dian)(dian)壓(ya)響(xiang)應(ying)包括陡的(de)過沖電(dian)(dian)壓(ya)。
碳化硅避雷器-學術百科-知網空間
2013年1月(yue)30日-美國陸軍研究(jiu)人員正(zheng)在向行業尋求開(kai)發進的碳化硅(SiC)半導體功(gong)率電子技術種高等級配(pei)置的高壓開(kai)關,脈(mo)沖電壓15000V,小電壓10000V,電流峰值(zhi)30A,。
美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網
采用XeCl準分子(zi)脈沖激光退火(huo)技術制備了納米(mi)晶態碳化硅薄(bo)膜(mo)(nc—SiC),并對薄(bo)膜(mo)的光致(zhi)發(fa)光(PL)特性(xing)進行了分析。結果表(biao)明(ming),納米(mi)SiC薄(bo)膜(mo)的光致(zhi)發(fa)光表(biao)現為(wei)300-600nm.范(fan)圍。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光
[圖文]V為(wei)驅(qu)(qu)動脈(mo)沖(chong)電(dian)壓(ya)(ya),驅(qu)(qu)動電(dian)流(liu)為(wei)脈(mo)沖(chong)電(dian)流(liu).V為(wei)驅(qu)(qu)動脈(mo)沖(chong)電(dian)壓(ya)(ya),驅(qu)(qu)動電(dian)流(liu)為(wei)脈(mo)沖(chong)電(dian)流(liu).收(shou)藏(zang)此頁推薦給好友(you)09-23[技術資訊]碳化硅在高溫范圍內具有低開關損耗的MOSFE。
紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網
[圖(tu)文]這種改進的過壓和浪涌(yong)電(dian)流能力可(ke)以使二極管的壓力減小,使應(ying)用(yong)具(ju)有更高的可(ke)靠性。SiC肖特基二極管——適(shi)合各(ge)種供電(dian)條件的解決方案(an)利(li)用(yong)具(ju)有獨特性能的碳化硅作為器件。
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諸暨市特(te)耐工程陶瓷有限公司碳化(hua)(hua)硅脈沖類型(xing):脫硫(liu)除(chu)塵器林格曼黑度:3級品牌(pai):帕(pa)特(te)納型(xing)號(hao):碳化(hua)(hua)硅噴嘴脫硫(liu)率(lv):97(%)除(chu)塵率(lv):96(%)阻(zu)力損失:-(Pa),環球(qiu)貿易網為您提(ti)供。
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2010年(nian)8月17日(ri)-0405SC-2200M碳化(hua)硅晶體管(guan),射頻峰值(zhi)功(gong)率達(da)2200瓦,可用于大功(gong)率超高頻脈(mo)沖系(xi)統的另(ling)一些優點包括簡化(hua)阻抗匹配(pei),125伏的操(cao)縱電(dian)壓,低電(dian)導(dao)電(dian)流,高峰值(zhi)。
碳化硅脈沖
溫度脈(mo)沖方法制(zhi)備碳/碳化硅復合(he)材料界面(mian)的微觀結構與性能研(yan)究袁明,黃政仁(ren),董紹明,朱云洲,江東亮中國科學院上(shang)海硅酸鹽研(yan)究所,上(shang)海200050。
Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器
河北大學(xue)碩士學(xue)位論文納米碳化硅的脈(mo)沖(chong)激光(guang)燒(shao)蝕沉積及其光(guang)學(xue)特性研(yan)究姓(xing)名(ming):孫運濤申請學(xue)位級別(bie):碩士專業:光(guang)學(xue)指導教師:于威20030101摘要本(ben)工(gong)作采用脈(mo)沖(chong)激光(guang)。
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究
2013年1月30日-美國陸(lu)軍(jun)研究人員正在向(xiang)行業(ye)尋求開發進的碳化硅(SiC)半導體功率電子(zi)技(ji)術(shu)種高(gao)等級配置的高(gao)壓(ya)開關,脈沖電壓(ya)15000V,小(xiao)電壓(ya)10000V,電流峰值(zhi)30A,。
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[圖文]從而具(ju)有非常高的(de)浪涌電(dian)流承受能力(li)和穩定的(de)過壓特性(xing)。網中的(de)PFC級應(ying)用在(zai)瞬時脈沖和過壓狀(zhuang)態下具(ju)有更(geng)高的(de)利用具(ju)有獨(du)特性(xing)能的(de)碳化硅作為(wei)器件(jian)材料,能制造出接近。
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通過激光(guang)脈沖波(bo)形(xing)與光(guang)電(dian)流(liu)脈沖波(bo)形(xing)的(de)(de)比較,估(gu)算出2種光(guang)導(dao)開關的(de)(de)載流(liu)子壽(shou)命(ming)和載流(liu)子的(de)(de)基(ji)礎上(shang)改進設計,研制出了工作電(dian)壓超過10kV、工作電(dian)流(liu)超過90A的(de)(de)碳化硅光(guang)導(dao)。
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影響碳化硅光導開關小導通電阻的因素-論文摘要-中國光學期刊網
2008年9月26日-這(zhe)些測(ce)試(shi)包括使(shi)用1祍脈沖,開關(guan)時間比(bi)為1000,在“開”狀態(tai)驅動電流是100本(ben)文鏈接:碳化硅電子:全球協會提倡SiC高頻PI:/news。
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[圖文]GaN器件包含五項重要特(te)征:高介電強度(du)(du)、高工作溫度(du)(du)、大電流密度(du)(du)、高開(kai)關速(su)度(du)(du),如何在高效脈沖(chong)跳頻模(mo)式下(xia)選擇輸出濾(lv)波(bo)(1)智(zhi)能電視前(qian)進路上的三座。
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1200V增(zeng)強型(xing)碳化(hua)硅縱向結型(xing)場效應晶體管功率模塊《電(dian)力電(dian)子》2011年(nian)第(di)4期開關(guan)測試采用(yong)了標(biao)準的雙脈沖感性負載電(dian)路,在600V、100A、溫度分(fen)別為25℃和(he)150。
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1200V增強型碳化硅縱向結型場效應晶體管功率模塊-維普網-倉儲
[圖文(wen)]2012年4月(yue)16日-既(ji)能(neng)滿足電子(zi)模塊的正常(chang)工作電流(圖1中的If),也(ye)能(neng)承受ISO7637-2脈沖[新(xin)品快訊]美高森美推出碳化硅(SiC)材料和技術的全新(xin)1200V肖特基二極管。
碳化硅超細磨|碳化硅專用磨|碳化硅微粉磨|脈沖除塵器-金屬硅磨粉_
[圖文]標簽(qian):600509石墨烯碳化(hua)硅背景資料老孟股票(piao)具有(you)電荷這種性質,電荷的傳導能夠(gou)形成電流并成為(wei)電子采用脈沖電子輻照技(ji)術在SiC基底上外(wai)延石墨烯是我們。
綠碳化硅脈沖除塵器工作原理,脈沖除塵器發展適生_鄭州嵩陽
二:電(dian)流互(hu)感(gan)器(qi)保護(hu)(hu)用(yong)于保護(hu)(hu)電(dian)流互(hu)感(gan)器(qi)即CTPU.典型應用(yong)于互(hu)感(gan)器(qi)二次過壓保護(hu)(hu),此類電(dian)阻片的(de)靈活性使(shi)其得到廣范應用(yong),可用(yong)于熒(ying)光燈的(de)尖(jian)峰脈(mo)沖(chong)抑制(直徑(jing)為(wei)26mm的(de)。
ISO7637-2脈沖3b-根據雪崩性能選擇肖特基二極管-電子發燒友網
(3)從損壞的(de)(de)(de)避雷(lei)器閥片來看,這(zhe)(zhe)些避雷(lei)器的(de)(de)(de)閥片所用的(de)(de)(de)碳化硅比較松散(san),多半是這(zhe)(zhe)根電(dian)線有脈沖電(dian)流渡過,這(zhe)(zhe)時(shi),測定在配電(dian)線路的(de)(de)(de)導體上感(gan)應的(de)(de)(de)電(dian)壓(ya)波形。相應的(de)(de)(de)。
600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客
2013年8月21日-尤其是(shi)碳化硅(gui)微粉磨的(de)生產加工中,粉塵外泄問題為(wei)嚴重,上海卓亞礦山機(ji)械有限公司研究(jiu)者為(wei)其進行相應的(de)分析(xi)與設備(bei)的(de)改造實驗(yan),終得出(chu)使用脈沖除塵器的(de)。
M&I碳化硅非線性放電電阻_電子元器件_電阻器_壓敏電阻器_產品庫_
[圖文]2011年8月4日-現在(zai)還(huan)有許(xu)多公司在(zai)用不同的(de)(de)基底(如(ru)藍(lan)寶石(shi)和碳化(hua)硅)生(sheng)產(chan)GaNLED,這些LED該電路的(de)(de)基本功能(neng)是產(chan)生(sheng)低頻、快速、大(da)功率驅動(dong)電流脈沖(chong)信號,輸出脈沖(chong)的(de)(de)。
什么是工頻電流?工頻是什么意思?_工程_技術_科技_機械_天涯問答
2013年7月22日-1998年已有頻(pin)率1.3GHz,脈沖輸出(chu)功率400W的報(bao)道(dao)[;。2.2碳化硅(gui)(gui)功率雙極開發碳化硅(gui)(gui)BJT的主要問題是(shi)提(ti)高電流增益。早期6H-SiCBJT的電流增益只(zhi)有10。
碳化硅微粉磨應用脈沖除塵器凈化環境效果好
脈沖袋式(shi)除塵器,分號機,粉(fen)碎機,氣流(liu)磨,青島(dao)精華PZ粉(fen)碎機的用途及適(shi)應范圍:化工等(deng)物科的粉(fen)碎,尤其適(shi)用于碳化硅(gui)、剛玉、石(shi)英(ying)、烙煉(lian)石(shi)英(ying)、石(shi)餾石(shi)等(deng)物科的粉(fen)碎。
詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊
碳化硅(gui)顆粒化學(xue)鍍(du)鎳對鐵基復合材料性(xing)能的影響張(zhang)躍波1,宗(zong)亞(ya)平1,曹新建1,張(zhang)龍21.東北大學(xue)材料各向異性(xing)與織構教(jiao)育部實驗室(shi)沈陽(yang)1108192.金策(ce)工業綜合。