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一種(zhong)用(yong)四氯化(hua)硅(gui)與液氨在有(you)機溶(rong)劑界面反應(ying)生成(cheng)硅(gui)亞胺,然后(hou)將其加熱分解制得(de)氮(dan)化(hua)硅(gui)粉末的方法及(ji)設備(bei),其特。
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101136305納米級氮(dan)(dan)化(hua)硅復合材料發熱(re)體(ti)及制作(zuo)工藝[摘要(yao)]本發明是對氮(dan)(dan)化(hua)硅發熱(re)$902158760低(di)壓燃(ran)燒合成(cheng)氮(dan)(dan)化(hua)硅或氮(dan)(dan)化(hua)硅鐵的(de)方法及設備[摘要(yao)]低(di)壓燃(ran)燒合成(cheng)。
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2第三節(jie)(jie):3第四(si)節(jie)(jie):4第四(si)章:氮(dan)化硅(gui)晶須主要生產工藝詳述(shu)節(jie)(jie):氮(dan)化硅(gui)晶須生產工藝流程圖節(jie)(jie):氮(dan)化硅(gui)晶須生產原材料及(ji)設(she)備1.生產。
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25氮(dan)化(hua)(hua)(hua)硅粉(fen)末的(de)制(zhi)(zhi)造方(fang)法(fa)26氮(dan)化(hua)(hua)(hua)硅粉(fen)末的(de)制(zhi)(zhi)造方(fang)法(fa)及(ji)設備27氮(dan)化(hua)(hua)(hua)硅粉(fen)體α相(xiang)(xiang)轉相(xiang)(xiang)裝置28氮(dan)化(hua)(hua)(hua)硅工程陶瓷燒結新工藝29氮(dan)化(hua)(hua)(hua)硅和碳化(hua)(hua)(hua)硅一(yi)維納米結構及(ji)其制(zhi)(zhi)備方(fang)法(fa)。
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一種制造高純度超細(xi)氮(dan)化硅(gui)的(de)方法及設備,其特征是(shi)硅(gui)烷和氨氣(qi)的(de)氣(qi)相化學反應是(shi)在立式雙溫區流態反應器3中進(jin)行,該(gai)反應器流態床底部設有不銹鋼制造的(de)分(fen)配(pei)板31,載(zai)體。
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[圖文(wen)]25、氮化硅(gui)粉末的制造(zao)方(fang)法(fa)26、氮化硅(gui)粉末的制造(zao)方(fang)法(fa)及設備27、氮化硅(gui)粉體α相轉相裝置28、氮化硅(gui)工(gong)程陶瓷燒結(jie)新工(gong)藝29、氮化硅(gui)和碳(tan)化硅(gui)一維納米結(jie)構及其制備方(fang)法(fa)30。
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氮化(hua)硅的生產方法劉佩珠摘要:正本介紹的Si_3N_4的生產方法如下:采(cai)用固體(ti)二硫化(hua)硅與氣態氨反應,溫度控(kong)制在800～1450℃,回收(shou)無定形Si_3N_4。。
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在亞微米的生產(chan)制造(zao)技術中,氮(dan)化硅工藝的particle已(yi)經成(cheng)為產(chan)品良率(lv)的主要影(ying)響因素。本文(wen)主要針對立(li)式LPCVD氮(dan)。
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2012年9月19日-2CN02100873.6一種制造電(dian)池的(de)燒(shao)結(jie)鎘(ge)負(fu)極的(de)方(fang)法及其制造產品(pin)3CN70CN86100384氮化硅工程(cheng)陶瓷燒(shao)結(jie)新工藝(yi)71CN86106840熱窯燒(shao)結(jie)設備與。
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[圖文(wen)]摘(zhai)要:摘(zhai)要:研(yan)究了(le)等離子(zi)增強化(hua)學氣相淀積(ji)(PECVD)工藝中射頻(pin)(pin)條件(功率和頻(pin)(pin)率)對氮化(hua)硅(gui)薄膜應力的影(ying)響。對于不同射頻(pin)(pin)條件下薄膜的測試結果表明:低頻(pin)(pin)(LF)時氮化(hua)硅(gui)。
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7-BG520氮(dan)化硅只讀存(cun)儲器(qi)的(de)結構與制造方(fang)(fang)法8-BG520低壓燃燒(shao)合成(cheng)氮(dan)化硅或氮(dan)化硅鐵的(de)方(fang)(fang)法及設備(bei)9-BG520利用原子層沉(chen)積法形成(cheng)氮(dan)化硅間隙壁的(de)方(fang)(fang)法10-BG520密封。
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[圖(tu)文]本文主要針對立式LPCVD氮化硅爐管(guan)的氮化硅制(zhi)造工藝中所遇到(dao)particle問題(ti)進行研(yan)究。通過大量的對比性實驗進行排查與分析,并利用各種先進的實驗的設備(bei)和(he)器材找(zhao)到(dao)產(chan)生。
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第四節(jie)主要生產(chan)設備情(qing)況介紹第四章(zhang)2011-2013年中國(guo)碳(tan)化(hua)硅結(jie)合氮(dan)化(hua)硅磚市場圖表:碳(tan)化(hua)硅結(jie)合氮(dan)化(hua)硅磚理(li)化(hua)性質一覽(lan)圖圖表:碳(tan)化(hua)硅結(jie)合氮(dan)化(hua)硅磚生產(chan)工藝流程。
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河南科(ke)技大學畢業(ye)設計(論文)I噴涂(tu)工(gong)藝對(dui)氮化(hua)硅涂(tu)層品質(zhi)的(de)影響摘(zhai)要鑄造因(yin)此(ci)容(rong)易(yi)在制(zhi)造工(gong)藝中受石英、石墨、設備以及管(guan)道等的(de)沾污。坩(gan)堝的(de)使用(yong)一方面提高。
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通過幾年不(bu)斷技術創新,工(gong)藝(yi)優化,積累(lei)了豐(feng)富的氮(dan)化合金生產(chan)(chan)(chan)經驗。公司擁有(you)三個生產(chan)(chan)(chan)車間,十幾臺(tai)國內先進的氮(dan)化物產(chan)(chan)(chan)品生產(chan)(chan)(chan)設(she)備,建立了完(wan)發聯系信合肥(fei)開爾納米。
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本廠以“業潤(run)社會”為經營理念(nian),憑著(zhu)國內(nei)的生(sheng)產設備(bei),全(quan)體員工(gong)努力進取,銳意采用先進的氣壓、熱等靜壓燒(shao)結工(gong)藝,批(pi)量生(sheng)產氮化硅(Si3N4)、氧化鋯(ZrO2)。
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技(ji)術難(nan)題:1.生產氮化(hua)硅錳從技(ji)術上采用普(pu)通(tong)硅錳和普(pu)通(tong)硅鐵作(zuo)為原料(liao),工藝上采用物料(liao)5.所用的臥(wo)式(shi)推板窯等加熱(re)設備利用電感應加熱(re)方式(shi),在(zai)微正壓下工作(zuo),省(sheng)去了真空。
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公司簡介北京(jing)金海虹氮(dan)化硅有(you)限(xian)公司是高(gao)新技術企業(ye),開發、生(sheng)產高(gao)技術氮(dan)化硅結合先(xian)進(jin)的(de)生(sheng)產設備,獨特的(de)生(sheng)產工藝(yi),完(wan)善的(de)檢(jian)測(ce)手段,科學的(de)管理體系,2005年(nian)5月獲得。
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你可能要查找:陶瓷生(sheng)產(chan)加工機(ji)械(xie)(xie)機(ji)械(xie)(xie)及行業(ye)設(she)備詳細信息(xi)產(chan)品(pin)規格:產(chan)品(pin)數量(liang)用這(zhe)種(zhong)現代(dai)先(xian)進工藝制成的特(te)種(zhong)陶瓷產(chan)品(pin)具有密度高(gao)且(qie)均(jun)勻,尺寸精度高(gao)等優(you)點。氮化(hua)硅。
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北京金(jin)海虹(hong)氮(dan)(dan)化硅有限公司簡介北京金(jin)海虹(hong)氮(dan)(dan)化硅有限公司自(zi)主研(yan)發、生產高科技(ji)材料‘氮(dan)(dan)化硅結合碳化硅制品(pin)’,以獨特的(de)制造工藝于(yu)國(guo)內外同行(xing)業(ye)水平,為有色(se)金(jin)屬行(xing)業(ye)。
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高純氮化硅(gui)粉體(用(yong)(yong)于晶硅(gui)生產坩堝噴涂粉末)使用(yong)(yong)方法發布日期:2011-11-01分(fen)離設(she)備物性測(ce)試儀器(qi)(qi)生命(ming)科學儀器(qi)(qi)實驗箱(xiang)體/安全箱(xiang)水質、水分(fen)檢測(ce)。
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制作燒(shao)結鋁(lv)礬(fan)(fan)土(tu)粉的(de)設備《礬(fan)(fan)土(tu)技術分析鋁(lv)礬(fan)(fan)土(tu),均勻度,氮化(hua)硅,反應催化(hua)劑,剛(gang)玉陶瓷,》43-BG192114一種變截(jie)面隧道窯煅(duan)燒(shao)高鋁(lv)礬(fan)(fan)土(tu)的(de)方(fang)法44-BG192114礬(fan)(fan)土(tu)面礦脫水。
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,經過多年的研制、創新,研發出全新的陶(tao)(tao)瓷配方以及一體化(hua)(hua)(hua)高(gao)純氮(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)陶(tao)(tao)瓷生(sheng)產工藝。高(gao)純氮(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)陶(tao)(tao)瓷熱(re)(re)(re)面(mian)發熱(re)(re)(re)體燃氣設備用熱(re)(re)(re)面(mian)發熱(re)(re)(re)體高(gao)純氮(dan)(dan)化(hua)(hua)(hua)硅(gui)陶(tao)(tao)瓷電熱(re)(re)(re)塞(sai)柴(chai)油。
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并提出了對(dui)比分析的方法,在(zai)通過(guo)專業設(she)備(bei)檢(jian)測的基礎上對(dui)成品球(qiu)球(qiu)度(du)、表(biao)面粗糙度(du)研究(jiu)結果表(biao)明,氮化硅陶瓷球(qiu)能夠批量生產且球(qiu)度(du)達到0.062μm以下,表(biao)面粗糙度(du)達到。
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反(fan)應燒結工(gong)藝生(sheng)產(chan)的氮(dan)化硅使用(yong)(yong)壽命很短,材料存在(zai)很多氣孔,長期鋁液會(hui)滲(shen)入(ru);抗熱(re)震用(yong)(yong)于冶金、化工(gong)、紡織、印刷、包(bao)裝、食品機(ji)械、電爐(lu)設備(bei)、電力容(rong)器、變壓器等。
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種更(geng)可(ke)靠的半導體(ti)裝置和(he)(he)顯示裝置的高產量制(zhi)造(zao)技術(shu)且(qie)未使用(yong)(yong)于(yu)制(zhi)造(zao)的設備(bei)和(he)(he)方(fang)法作為(wei)在有機(ji)化合物中所含(han)的無機(ji)材料,可(ke)以使用(yong)(yong)氧化硅(gui)(gui)、氮化硅(gui)(gui)、氧氮化硅(gui)(gui)、氮。
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