MEMS射頻薄膜體聲波諧振器(FBAR)研究
在固態裝配型諧振器(SMR)方面,論文采(cai)用上(shang)述模(mo)型分析了四分之一(yi)波長布拉格(ge)反(fan)(fan)射(she)(she)柵(zha)對(dui)(dui)其諧振特性的影響(xiang),得(de)到了SMR器件獲得(de)理想(xiang)性能所需的少反(fan)(fan)射(she)(she)柵(zha)對(dui)(dui)數;另外,考(kao)慮到實(shi)際。
石英晶體諧振器行業技術文章_慧聰網
壓電層的典型厚度在幾(ji)個微米(mi)或壓力場看起來與(單晶的)石英(ying)模(mo)式的石英(ying)這(zhe)種類型的BAW被稱為固(gu)態裝配諧振器(SMR)。魯棒性而言,,則(ze)可減少諧振器。
ZnO固態裝配型諧振器(SMR)的模擬分析-《中國聲學學會2007年青年
ZnO固態裝(zhuang)配型諧振(zhen)器(SMR)的模擬(ni)分析湯亮郝震宏喬東海汪承灝摘要:正1引言(yan)近(jin)年來,薄膜體(ti)聲波(bo)諧振(zhen)器(FBAR)由于其較小的體(ti)積以(yi)及可與IC電路進行單。
布喇格反射層對SMR性能影響的仿真分析_百度文庫
這樣形成(cheng)的(de)諧(xie)振器是固態裝配諧(xie)振器(SMR)。在一個實施例中,襯底12由硅(Si)制成(cheng),PZ層18由氮(dan)化鋁(AlN)制成(cheng)。或者(zhe),也可以(yi)使用其他(ta)的(de)壓電材料來制作PZ層18。在一。
CN1845453A-使用填充凹進區的聲諧振器的性能增強-Google
基于(yu)CMOS工(gong)藝(yi)的高性能射頻濾波器(qi):體聲波濾波器(qi)BAW第2頁/共6頁<上一頁下這(zhe)種(zhong)類型的BAW被(bei)稱為(wei)固態裝配諧振器(qi)(SMR)。魯棒性而言,SMR比膜(mo)結構的BAW要好。
基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器BAW_中華文本庫
這種類型的BAW被稱(cheng)為固態裝配(pei)諧振器(qi)(SMR)。魯(lu)棒性而言,SMR比膜結構的BAW要好很多(duo)。在劃(hua)片和裝配(pei)所需的各(ge)種標準工序中(zhong),沒有機械損壞的風險。壓(ya)電(dian)層(ceng)和電(dian)極(ji)層(ceng)上。
基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器(BAW)
和電極做成膜結構(gou)或一(yi)(yi)并沉積到一(yi)(yi)個薄(bo)的支撐膜上(shang),形成空(kong)氣一(yi)(yi)固體交(jiao)界面(mian);還有(you)一(yi)(yi)種方(fang)式是采用“聲波鏡”形成反(fan)射面(mian)來實現,這種結構(gou)被稱為“固態裝配諧振器(SMR)。
薄膜體聲波濾波器的材料設計及應用-豆丁網
鋯(gao)鈦酸鉛溶膠凝膠諧(xie)振器建立微型(xing)(xing)體聲波諧(xie)振器機械結構的(de)等效電(dian)路(lu)模型(xing)(xing),運用PSPICE軟件研究4湯亮;郝震宏;喬東海;汪承灝;;ZnO固態裝(zhuang)配型(xing)(xing)諧(xie)振器(SMR)。
龍俞兆-技術總結-道客巴巴
[0003]壓電薄膜(mo)諧(xie)振器可(ke)以分類(lei)為(wei)FBAR(膜(mo)體(ti)聲諧(xie)振器)型和SMR(固態裝配諧(xie)振器)型。[0003]thepiezoelectricthinfilmresonatorcanbeclassifiedasFBAR。
PZT薄膜材料的生長與應用-《廈門大學》2009年碩士論文
上述聲波器件的(de)(de)示例(li)為諸(zhu)如FBAR(膜(mo)(mo)體聲波諧振(zhen)器)和SMR(SolidlyMoutedResonator:固態裝配諧振(zhen)器)的(de)(de)薄膜(mo)(mo)諧振(zhen)器。Examplesoftheacousticwavedevicesuchas。
CN101083460B-Filterhavingmultiplepiezoelectricthin-
聲諧振器(qi)(qi)(10;110;和210)包括少(shao)部分(fen)地(di)補償(chang)通過電(dian)極壓電(dian)疊層(18)引入的(de)溫度感應效應的(de)鐵磁補償(chang)器(qi)(qi)(20;120;和220)。該補償(chang)器(qi)(qi)具(ju)有(you)(you)正頻率溫度系數,而疊層具(ju)有(you)(you)負。
BAW_百度文庫
包(bao)含這些(xie)壓電薄(bo)膜(mo)(mo)諧(xie)(xie)(xie)振(zhen)器(qi)的濾波(bo)器(qi)也(ye)受(shou)到關注。[0003]壓電薄(bo)膜(mo)(mo)諧(xie)(xie)(xie)振(zhen)器(qi)的例(li)子包(bao)括FBAR(薄(bo)膜(mo)(mo)腔聲諧(xie)(xie)(xie)振(zhen)器(qi),FilmBulkAcousticResonator)型和(he)SMR(固態裝配諧(xie)(xie)(xie)振(zhen)器(qi),Solidly。
CN101136620B-Acousticwavedevice,filterandduplexer
將上述壓電(dian)薄膜諧(xie)振(zhen)(zhen)器分為(wei)兩種類型,FBAR(薄膜腔聲諧(xie)振(zhen)(zhen)器)和SMR(固態裝(zhuang)配諧(xie)振(zhen)(zhen)器)。FBAR包括層疊在諸如硅(gui)或玻璃的基板上的上電(dian)極膜、壓電(dian)膜和下電(dian)極膜的層疊結(jie)構。
布喇格反射層對SMR性能影響的仿真分析SimulationAnalysisof
包含(han)這些壓電薄(bo)膜諧(xie)振器(qi)的(de)濾波器(qi)也受到關注(zhu)。壓電薄(bo)膜諧(xie)振器(qi)的(de)例子包括FBAR(薄(bo)膜腔聲諧(xie)振器(qi),FilmBulkAcousticResonator)型和(he)SMR(固態裝配(pei)諧(xie)振器(qi),SolidlyMounted。
CN1340915A-聲波諧振器及在溫度變化時運行其以保持諧振的
另外值得(de)一提(ti)的(de)是,德國的(de)Infneon公司在2003年推出了(le)具有布拉格反射(she)層結構(gou)的(de)固貼式(又稱固態裝配型)薄膜體(ti)聲波諧振器(SMR-FBAR)[9-10].而我(wo)國關于。
CN1862959B-壓電薄膜諧振器與濾波器-Google
0引(yin)言固態(tai)引(yin)信(xin)諧振(zhen)器(qi)是電子(zi)安(an)全系(xi)統的重要組(zu)成(cheng)部分之一(yi),它能在后坐加速度和旋(xuan)轉(zhuan)離心(xin)力的作用下向前運動,使限位保險處(chu)于鎖定狀態(tai),從而使引(yin)信(xin)處(chu)于待發狀態(tai)。但是,。
CN1677852A-諧振器濾波器以及諧振器的制造-Google
毫米波(bo)(bo)平面(mian)振(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)器(qi)(qi)基片集(ji)(ji)成波(bo)(bo)導相(xiang)位噪聲雙端(duan)口壓(ya)控(kong)振(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)器(qi)(qi)注入鎖定(ding)諧波(bo)(bo)振(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)器(qi)(qi)毫米波(bo)(bo)平面(mian)振(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)器(qi)(qi)是毫米波(bo)(bo)平面(mian)集(ji)(ji)成系統ZnO固態(tai)裝配型諧振(zhen)器(qi)(qi)(SMR)的(de)模擬分析[。
CN1862959A-壓電薄膜諧振器與濾波器-Google
聲(sheng)諧振器(10;110;和210)包(bao)括少(shao)部(bu)分地(di)補償(chang)通過(guo)電(dian)極壓(ya)電(dian)疊層(18)引入的(de)溫(wen)度感應效(xiao)應的(de)鐵磁補償(chang)器(20;120;和220)。Theacousticresonator(10;110;and。
薄膜體聲波諧振器(FBAR)的結構制備工藝研究-會議論文-道客巴巴
關鍵詞:微波濾(lv)波器(qi)(qi)時域有限(xian)差分法階梯(ti)阻抗諧振器(qi)(qi)橢圓函數(shu)濾(lv)波器(qi)(qi)多(duo)層6湯亮;郝震(zhen)宏;喬東(dong)海;汪承灝(hao);;ZnO固態裝配型諧振器(qi)(qi)(SMR)的(de)模(mo)擬分析[A];。
固貼式薄膜體聲波諧振器用材料體系研究進展-豆丁網
摘(zhai)要(yao)固態微型諧(xie)振器的工作頻率(lv)高、功率(lv)容量大、損耗低(di)、體積小,是目前(qian)有望第三(san)種為(wei)本研(yan)究采用反射層聲學隔離(li)固定結構(gou)(SolidlyMountedResonatorSMR),如圖l一。
MEMS固態引信諧振器的系統級設計與仿真-《科技廣場》2007年09期
在(zai)固態(tai)裝配(pei)型(xing)諧(xie)振器(SMR)方面,論文采用上述模型(xing)分析(xi)了四分之(zhi)一波長(chang)布拉格反射柵對其(qi)諧(xie)振特性的影響,得到(dao)了SMR器件獲得理(li)想性能所(suo)需(xu)的少反射柵對數;另外,考慮(lv)到(dao)實際。
復合雙壓電層FBAR的建模與仿真楊成韜1,李健雄1,許紹俊2,銳1,-
這樣(yang)形(xing)成的諧振器是固態裝配諧振器(SMR)。Thethusformedassemblyoftheresonatoriidresonator(SMR).在一個實施例中,襯底12由硅(Si)制成,。
基于基片集成波導的高性能毫米波平面振蕩器研究與應用-《電子
大字報利用(yong)無線(xian)傳感(gan)器網絡實現(xian)運動(dong)聲源(yuan)的(de)定(ding)位與跟蹤(zong)錄取(qu),報告用(yong)相對運動(dong)幾何(he)求解BOT問題ZnO固態裝配型諧振(zhen)器(SMR)的(de)模擬(ni)分(fen)析PGC解調光纖傳聲器技(ji)術的(de)討論一種單。
CN1229917C-Soundwaveresonator-Google
將上(shang)述壓電(dian)薄(bo)膜(mo)諧振器分為兩種類型(xing),FBAR(薄(bo)膜(mo)腔聲諧振器)和SMR(固態裝(zhuang)配諧振器)。FBAR包括層疊(die)在諸(zhu)如(ru)硅或玻(bo)璃的(de)基(ji)板(ban)上(shang)的(de)上(shang)電(dian)極膜(mo)、壓電(dian)膜(mo)和下電(dian)極膜(mo)的(de)層疊(die)。
無線通信系統中的微波濾波器性能及小型化研究-《上海大學》2004
2007年10月31日-壓電薄(bo)(bo)膜諧(xie)振(zhen)器(qi)可分成FBAR(薄(bo)(bo)膜塊體聲波諧(xie)振(zhen)器(qi))型(xing)和SMR(固態(tai)裝配諧(xie)振(zhen)器(qi),solidlymountedresonator)型(xing)。Thepiezoelectricthinfilmresonatormay。
基于MoTi布拉格反射層的固態微型諧振器與濾波器的研究-豆丁網
該(gai)傳感(gan)器是混合型諧振(zhen)無源諧振(zhen)結構,其可以在制(zhi)造過程(cheng)中被集(ji)成于(yu)車輛地面連接(jie)裝置HBAR“高模(mo)薄(bo)膜體聲波諧振(zhen)器”),或者(zhe)帶有(you)布拉格反射鏡(SMR“固(gu)態裝配型諧振(zhen)。
基于CMOS工藝的高性能射頻濾波器:體聲波濾波器BAW_百度文庫
該傳感器(qi)(qi)是混(hun)合型(xing)諧(xie)振無(wu)源(yuan)諧(xie)振結構,其(qi)可以在制造過(guo)程中(zhong)被集成于車輛地面(mian)連(lian)接裝置HBAR"高模薄(bo)膜體(ti)聲波諧(xie)振器(qi)(qi)"),或(huo)者帶有布拉(la)格反射鏡(SMR"固態裝配型(xing)諧(xie)振器(qi)(qi)"。
院機構知識庫網格(CASIRGRID):MEMS射頻薄膜體聲波諧振器(
2010年6月16日-[0020]壓電薄膜(mo)(mo)諧振器包括FBAR型和SMR型,其中FBAR是(shi)薄膜(mo)(mo)體聲波諧振器(Film-BulkAcousticResonator)的縮(suo)寫(xie),以及SMR是(shi)固態安裝諧振器(SolidlyMounted。
CN1845453A-Acousticresonatorperformanceenhancement
2005年10月5日-將上述壓電薄膜諧振(zhen)器分為兩種類型,FBAR(薄膜腔聲(sheng)諧振(zhen)器)和SMR(固(gu)態裝配諧振(zhen)器)。Theabovepiezoelectricthinfilmresonatorisdividedinto。
薄膜諧振器技術概述_百度文庫
[0003]壓電(dian)薄膜(mo)諧(xie)振(zhen)器可分成(cheng)FBAR(薄膜(mo)塊體聲波(bo)諧(xie)振(zhen)器)型(xing)和SMR(固態裝(zhuang)配諧(xie)振(zhen)器,solidlymountedresonator)型(xing)。FBAR具有由(you)上部(bu)電(dian)極(ji)、壓電(dian)膜(mo)和下部(bu)電(dian)極(ji)構(gou)成(cheng)的。