碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期
陶(tao)瓷材(cai)料等(deng)離子(zi)發射光譜法微(wei)量雜質元(yuan)素測(ce)定微(wei)電子(zi)工業發動機雜質分析(xi)高(gao)溫技術聚變(bian)裝置微(wei)量元(yuan)素。
碳化硅微粉中的雜質太多怎么處理_百度知道
如碲化(hua)鉛(PbTe)、砷化(hua)銦(InAs)、硫化(hua)鉛(PbS)、碳化(hua)硅(SiC)等(deng)。與金屬材料不同(tong),半導體中雜(za)質含(han)量和外(wai)界(jie)條件的(de)(de)改變(bian)(如溫度變(bian)化(hua)、受光照射等(deng)),都會使(shi)半導體的(de)(de)。
碳化硅_百度百科
怎樣去除碳(tan)化硅(gui)制品(pin)中(zhong)的(de)雜(za)(za)(za)質(zhi)沒有任何(he)一件事物是沒有雜(za)(za)(za)質(zhi)的(de),即便(bian)是很多(duo)化學原(yuan)料或(huo)者經過多(duo)重步驟(zou)產(chan)(chan)生(sheng)的(de)高科(ke)技產(chan)(chan)品(pin),所以,目前市場上出現的(de)碳(tan)化硅(gui)產(chan)(chan)品(pin)也有很多(duo)雜(za)(za)(za)質(zhi)。但(dan)是。
碳化硅中一般都含有什么雜質?_已解決-阿里巴巴生意經
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怎樣去除碳化硅制品中的雜質-新聞動態-淄博中晶碳素有限公司
本發明涉及一(yi)種應用X射(she)線熒光光譜法檢測碳(tan)化硅(gui)雜質含(han)量(liang)的方法,其(qi)步驟如下(xia):1、制(zhi)備測試樣(yang)片;2、制(zhi)備標(biao)準樣(yang)片:①提純(chun)碳(tan)化硅(gui)的制(zhi)樣(yang);②碳(tan)化硅(gui)提純(chun),制(zhi)備出(chu)純(chun)品碳(tan)化硅(gui);③。
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現(xian)在的(de)原料主(zhu)要(yao)成分是硅和碳化硅的(de)混合物,里面含有(you)少量(liang)鐵(tie)雜質,怎(zen)樣除去鐵(tie),請各(ge)位賜教,謝謝。
應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法-查詢下載-中國
2012年12月28日(ri)-碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)晶體中的(de)雜(za)質是:鐵、鋁、鈣、鎂、硅(gui)(gui)等的(de)氧化(hua)物和碳(tan)化(hua)物,以及它們的(de)共熔物。這些(xie)雜(za)質在(zai)冶煉(lian)爐熱動力條件下,溫度在(zai)2100——2200℃時被蒸(zheng)發(fa)排。
如何去除硅和碳化硅的混合物中的少量鐵雜質-非金屬-小木蟲-
[24]β-碳(tan)化硅(gui)因其相較α-碳(tan)化硅(gui)擁有更高的(de)比(bi)表面積,所以可用于(yu)非均相催(cui)化劑的(de)負載體。純的(de)碳(tan)化硅(gui)是無色的(de),工(gong)業用碳(tan)化硅(gui)由于(yu)含有鐵等(deng)雜(za)質而呈現(xian)棕色黑色晶體。
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碳化硅-維基百科,自由的百科全書
導熱率:碳化硅制品的導熱率非常非常高(gao),熱膨脹參(can)數小巧,抗熱震性非常非常高(gao),是(shi)優質的耐火材(cai)料。3、電學屬(shu)性恒溫下(xia)工業碳化硅是(shi)一種(zhong)半(ban)導體,屬(shu)雜質導電性。高(gao)純度。
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碳化硅的特性和根本機能
碳化(hua)硅中雜質(zhi)的(de)(de)形(xing)態(tai)-碳化(hua)硅中雜質(zhi)的(de)(de)形(xing)態(tai)碳化(hua)硅的(de)(de)研發成功并很好的(de)(de)利用是市場發展過程中的(de)(de)一大進步點,特別是對于1893年艾奇遜的(de)(de)發明為引子,由(you)此推(tui)出的(de)(de)國內由(you)趙廣(guang)和。
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2011年6月(yue)14日-碳(tan)化(hua)(hua)硅在現代(dai)工業生(sheng)產中的應(ying)用范圍比較(jiao)廣泛,比較(jiao)為人們所(suo)了解的是(shi)應(ying)用于磨(mo)(mo)料、磨(mo)(mo)具領(ling)域。但是(shi)隨著科學技術的進步,人們對碳(tan)化(hua)(hua)硅的認識也逐漸(jian)深入,由此開發。
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碳化(hua)硅(SiC)是用(yong)石(shi)(shi)英砂(sha)、石(shi)(shi)油焦(或煤焦)、木屑為原料通過電阻(zu)爐高溫(wen)冶(ye)煉而成。碳化(hua)硅在大自然(ran)也存在罕(han)見(jian)的礦物,莫桑(sang)石(shi)(shi)。碳化(hua)硅又稱(cheng)<a。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-碩士論文-道客巴巴
碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui);物(wu)理性(xing)質性(xing)狀:綠(lv)(lv)色(se)(se)(se)(se)藍(lan)(lan)黑色(se)(se)(se)(se)結(jie)晶(jing)性(xing)粉末.含雜質的碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)為綠(lv)(lv)色(se)(se)(se)(se),固(gu)性(xing)狀:綠(lv)(lv)色(se)(se)(se)(se)藍(lan)(lan)黑色(se)(se)(se)(se)結(jie)晶(jing)性(xing)粉末.含雜質的碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)為綠(lv)(lv)色(se)(se)(se)(se),固(gu)溶(rong)有炭和(he)金屬氧化(hua)物(wu)雜質呈黑色(se)(se)(se)(se)。密。
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論文(wen)天(tian)下提供的(de)<二(er)次離子質譜(pu)分(fen)(fen)析(xi)碳(tan)化硅中釩(fan)雜(za)質含量的(de)研究;論文(wen)包括碳(tan)化硅二(er)次離子質譜(pu)釩(fan)摻雜(za)定量分(fen)(fen)析(xi)二(er)次離子質譜(pu)分(fen)(fen)析(xi)離子注入樣品等其(qi)他相關內容論文(wen)。
jinshinaicai-和訊財經微博-碳化硅中雜質的形態-碳化硅中..
2013年(nian)4月24日-碳(tan)化硅俗(su)稱金剛(gang)石,又稱碳(tan)硅石,主要(yao)用作耐磨材料(liao),耐火(huo)材料(liao),核(he)反(fan)應堆材料(liao)及制造(zao)電(dian)阻發熱(re)硅碳(tan)棒(管),半導體元件,C二(er)級(ji)管,晶體管,電(dian)器元件,火(huo)箭噴管等。
加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量——寧夏天凈集團碳化硅
產(chan)業領域(yu):新能源光伏需求類(lei)型:技術服務(wu)需求編(bian)號:189-07制粉(fen)是碳(tan)化(hua)(hua)硅微粉(fen)生產(chan)中(zhong)的重(zhong)要工序(xu),但由于碳(tan)化(hua)(hua)硅的硬度(du)較高,其莫氏(shi)(shi)硬度(du)為9.5級,在(zai)莫氏(shi)(shi)硬度(du)標準中(zhong)僅(jin)低于金剛石。
碳化硅-搜搜百科
本文采用ICP-MS法對高純碳化硅粉表(biao)面的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12種(zhong)痕量(liang)雜(za)質進行測(ce)定,用氫氟酸溶液浸提試樣表(biao)面雜(za)質,用釔做內標補償。
碳化硅|化合物-查字典
一種無TiC雜質相的(de)(de)碳(tan)化(hua)硅鈦(tai)陶(tao)瓷(ci)粉體的(de)(de)合(he)成(cheng)方法,其特征在于:(1)以(yi)Ti粉、Si粉和(he)TiC本(ben)(ben)發明公開了一種低成(cheng)本(ben)(ben)無TiC雜質相的(de)(de)碳(tan)化(hua)硅鈦(tai)陶(tao)瓷(ci)粉體的(de)(de)常壓合(he)成(cheng)方法,。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-
臨沂(yi)市金(jin)蒙碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅有(you)限公司是一家擁有(you)國內先進的碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅微粉,黑(hei)(hei)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅,綠碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅,綠碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅微粉,黑(hei)(hei)碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅微粉,碳(tan)(tan)化(hua)(hua)硅粒度砂,生產線和工藝(yi)技術,服務熱(re)線:400-6291-618。
碳化硅成分及性質_行業新聞_濟源防腐耐磨材料有限公司
2008年(nian)5月9日-碳化(hua)硅電(dian)力(li)電(dian)子器(qi)(qi)件研發(fa)進展與存在(zai)問題,1引言借助于(yu)微電(dian)子技術(shu)的長足發(fa)展,以硅器(qi)(qi)件為基礎的電(dian)力(li)電(dian)子技術(shu)因(yin)大功率場(chang)效應(ying)晶體管(功率MOS)和絕緣(yuan)柵雙(shuang)極(ji)晶體。
要除去碳化硅中的含鐵的雜質和氧化鋁膠體及游離碳,需要進行酸
1、游(you)離(li)硅(gui)。它一部(bu)(bu)分溶解于(yu)SiC晶(jing)體(ti)中,一部(bu)(bu)分與(yu)其雜質(如鐵、鋁、鈣(gai)等)形成合金而(er)粘附于(yu)晶(jing)體(ti)上或嵌在晶(jing)體(ti)中。2、游(you)離(li)二氧化硅(gui)。通常存在于(yu)晶(jing)體(ti)表面。大都是由于(yu)。
請教一下有關碳化硅的一些問題_化學吧_百度貼吧
對SiC中基態施主能級分(fen)裂對雜質電(dian)離的影響,與(yu)溫度(du)、摻雜濃度(du)和雜質能級深度(du)的關系(xi)進行了系(xi)統研究。發現只有在高溫且摻雜濃度(du)低的情況下(xia),能級分(fen)裂的影響很小可忽略不計。
(189-07,新能源光伏,技術服務)碳化硅微粉中鐵雜質清除裝置及方法
氮化硅結(jie)(jie)合碳化硅材(cai)料反應燒結(jie)(jie)時的雜質相行為分析,郝小勇;-陶瓷工程1998年第(di)03期在線(xian)閱(yue)讀、文章下載。<正;l前言Si3N4結(jie)(jie)合SIC材(cai)料的研(yan)究(jiu)近年來在國內發展較快,該(gai)。
ICP-MS法測定高純碳化硅粉表面的痕量雜質Determinationoftrace
分(fen)析了Si3N4結合(he)Si3C材料反(fan)應燒(shao)結時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等(deng)雜質(zhi)相的反(fan)應行為(wei)。氮化(hua)硅結合(he)碳化(hua)硅材料反(fan)應燒(shao)結時的雜質(zhi)相行為(wei)分(fen)析前言(yan):分(fen)析了Si3N4結合(he)Si3C材料。
碳化硅陶瓷工藝流程解析-新聞-九正建材網(中國建材網)
[圖文(wen)]目前(qian),國內使用(yong)(yong)的切(qie)割液(ye)和(he)碳化(hua)硅微粉(fen)在線切(qie)割過程(cheng)中(zhong),砂(sha)漿中(zhong)不可避免的會混入(ru)硅粉(fen)、鐵、高聚物等雜質,部分(fen)碳化(hua)硅微粉(fen)也(ye)會因切(qie)割作用(yong)(yong)而(er)出現破損,產生的廢砂(sha)漿很難繼續。
一種無TiC雜質相的碳化硅鈦陶瓷粉體的合成方法-200710118878-錢眼
氮化(hua)硅結合碳化(hua)硅材(cai)料反(fan)應(ying)燒結時的(de)雜質相行(xing)為分(fen)析(xi)(xi)-分(fen)析(xi)(xi)了Si3N4結合Si3C材(cai)料反(fan)應(ying)燒結時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等(deng)雜質相的(de)反(fan)應(ying)行(xing)為。
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碳化硅質(zhi)泡沫陶(tao)(tao)瓷(ci)過(guo)濾片,去孔,濾渣(zha),吸附雜質(zhi)泡沫陶(tao)(tao)瓷(ci)過(guo)濾片簡介泡沫陶(tao)(tao)瓷(ci)過(guo)濾器的過(guo)濾機理:整流作用:在(zai)澆鑄系統中放置泡沫陶(tao)(tao)瓷(ci)過(guo)濾片后,金(jin)屬(shu)液流阻力增大(da),。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
淄博鑄泰碳(tan)素有限(xian)公(gong)司碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)簡介:碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)英文名稱(cheng):siliconcarbide,俗稱(cheng)金剛砂。純(chun)碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)是無色透明(ming)的晶體。工業(ye)碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)因所含雜質的種(zhong)類和含量不同,而呈淺黃(huang)、綠、藍。