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石英陶瓷(ci)坩堝是太(tai)陽能電池用多晶硅(gui)鑄(zhu)錠過程(cheng)中用來裝載多晶硅(gui)原(yuan)料的容器,具有結構精(jing)細、熱(re)(re)導率(lv)低(di)、熱(re)(re)膨(peng)脹系數小(xiao)、尺寸精(jing)度高、高溫不變形、熱(re)(re)震穩(wen)定性(xing)好(hao)、電性(xing)能好(hao)。
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[3-BG35988]環(huan)狀電弧生產石英(ying)玻璃坩堝(guo)的工藝和裝置及石英(ying)玻璃坩堝(guo)[技術摘要]625-BG35988一種用于石英(ying)坩堝(guo)氫氧化(hua)鋇涂層(ceng)的裝置及方法(fa)226-BG35988一。
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2.現代的石(shi)英坩(gan)(gan)堝現代拉單(dan)晶的石(shi)英坩(gan)(gan)堝一般是(shi)采用電弧法生(sheng)產(chan),半透明狀,是(shi)通常的做法是(shi)將石(shi)英坩(gan)(gan)堝壁涂(tu)上一層含有結晶水的氫氧化鋇(Ba(OH)2.8H2O)(。
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制(zhi)作合(he)適的電(dian)弧法石英(ying)坩(gan)堝熔制(zhi)模具;(2)熔制(zhi)石英(ying)坩(gan)堝時,在電(dian)弧法石英(ying)坩(gan)堝熔制(zhi)后,也可以在其(qi)內表面(mian)人工或(huo)者設備冷(leng)涂一(yi)層(ceng)0.1-0.5mm厚度的氧(yang)化(hua)鋇或(huo)氧(yang)化(hua)鋯。
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1.石英(ying)坩堝(guo)可在1450度以下(xia)使用,分透(tou)明(ming)和不透(tou)明(ming)兩種。用電弧法制(zhi)的半透(tou)明(ming)石英(ying)氧(yang)化鋇溶液使其(qi)形成致密層(ceng),其(qi)致密層(ceng)能阻止單晶硅高溫拉制(zhi)過(guo)程(cheng)中硅與石英(ying)坩堝(guo)反應(ying)。
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石英坩堝知識-百度文庫
可使(shi)坩(gan)堝(guo)(guo)內(nei)表面形(xing)成(cheng)一層碳(tan)酸鋇(bei)薄膜,提高(gao)石(shi)英坩(gan)堝(guo)(guo)的質量和成(cheng)品率;同時該薄膜在[技(ji)術產品]石(shi)英坩(gan)堝(guo)(guo)制造機真空電弧法生產石(shi)英坩(gan)堝(guo)(guo)(以下簡稱石(shi)英坩(gan)堝(guo)(guo))是目前。
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綜述熔融石英坩堝的研制方法-新聞_石英玻璃_石英玻璃管_石英
密封(feng)涂層涂敷(fu)器及其測(ce)量設備(bei)220CN201110279743.3石英(ying)坩(gan)堝鋇涂層的(de)噴涂設備(bei)221CN氧(yang)化(hua)鈦的(de)石英(ying)玻璃(li)及其制備(bei)方法(fa)3208CN201210026333.2電(dian)弧法(fa)石英(ying)玻璃(li)坩(gan)堝缺陷返(fan)修的(de)。
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主營(ying):10--16寸電弧(hu)石(shi)(shi)英(ying)坩(gan)堝(guo);半導(dao)體單晶(jing)工商注(zhu)冊:2011(人(ren)民幣(bi)50萬(wan)元)主營(ying):石(shi)(shi)英(ying)坩(gan)堝(guo);單晶(jing)石(shi)(shi)英(ying)坩(gan)堝(guo)全自動噴涂(tu)機(ji);氫(qing)氧化鋇;石(shi)(shi)英(ying)砂(sha);單晶(jing)石(shi)(shi)英(ying)坩(gan)堝(guo)燒。
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2013年(nian)1月16日-貫穿(chuan)于石英坩堝(guo)(guo)熔制、烘干、酸(suan)洗、涂鋇整(zheng)個生產流程(cheng),提高了(le)石英坩堝(guo)(guo)生產的這種坩堝(guo)(guo)幾乎遭到淘汰;現代的坩堝(guo)(guo)通常是使用電弧法生產的半透明(ming)石英坩堝(guo)(guo),。
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